英国雪菲尔大学(Sheffield University)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(Applied Physics Letter)期刊上发布最新成果，利用在M-Plane 蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效益的LED。
寿命和稳定性是制约OLED照明产品发展的关键因素。大面积器件封装技术可以增长OLED照明器件的寿命，是OLED照明产业发展的关键技术。中国科学院长春应用化学研究所高分子光电子器件物理课题组聚焦这一研究方向，研制开发出大尺寸OLED照明器件薄膜封装系统。
(详见链接，来源：中国之光网)
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